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Vishay推出AEC-Q101認證的非對稱封裝雙芯片MOSFET
發佈時間:2013-12-13 08:26:47   
2013 年12 月12 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出通過AEC-Q101認證的採用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET- --SQJ940EP和SQJ942EP。 Vishay Siliconix 的這兩款器件可用於車載應用,把高效同步DC/DC降壓轉換器所需的高邊和低邊MOSFET都組合進小尺寸5mm x 6mm封裝裡,比使用分立MOSFET的方案節省空間,低邊MOSFET的最大導通電阻低至6.4mΩ。

電子連接器,非對稱封裝雙芯片MOSFET
日前發布的這些MOSFET是業內首批通過汽車級認證的採用非對稱封裝的雙芯片MOSFET,為降低傳導損耗,增大了低邊MOSFET的尺寸。器件可在+175℃高溫下工作,具有車內任何位置的應用所需的耐用性和可靠性。器件尤其適用於車載通信娛樂系統,例如收音機和GPS系統。

SQJ940EP和SQJ942EP使設計者能夠選用不同的導通電阻值。在10V電壓下,SQJ940EP的溝道2低邊MOSFET的最大導通電阻為6.4mΩ,溝道1高邊MOSFET的導通電阻為16mΩ。與雙芯片對稱方案相比,SQJ940EP的低邊導通電阻低31%,而尺寸同樣小巧。 SQJ942EP在10V下的最大低邊導通電阻為11mΩ,高邊MOSFET的導通電阻為22mΩ。


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