復旦研製出國內首個新型微電子半浮柵晶體管
今年以來，“電子熱”此起彼伏，各類技術創新更成為個股股價爆發的催化劑。
近日據相關媒體報導，復旦大學微電子學院張衛課題組成功研製出第一個介於普通MOSFET晶體管和浮柵晶體管之間的半浮柵晶體管（SFGT），該研究成果被刊發在美國《科學》雜誌上。分析人士表示，這是我國科學家首次在該雜誌上發表微電子器件領域的論文，標誌著我國在全球尖端集成電路技術創新鏈中獲得了重大突破。預計此次微電子的罕見成就將催生新一波的“元器件熱”，相關個股華微電子(600360,股吧)(行情,問診)、復旦復華(600624,股吧)(行情,問診)、長電科技(600584,股吧)(行情,問診)及風華高科(000636,股吧)(行情,問診)有望獲得資金青睞。
微電子罕見成就意義重大
據相關媒體報導，復旦大學微電子學院張衛課題組成功研製出第一個介於普通MOSFET晶體管和浮柵晶體管之間的半浮柵晶體管（SFGT）。 8月9日，美國《科學》雜誌刊發了該研究成果，這是我國科學家首次在該雜誌上發表微電子器件領域的論文，標誌著我國在全球尖端集成電路技術創新鏈中獲得重大突破。
據介紹，金屬—氧化物—半導體場效應晶體管（MOSFET）是目前集成電路中最基本的器件，而常用的U盤等閃存器件多采用另一種被稱為浮柵晶體管的器件。此次研究人員把一個隧穿場效應晶體管（TFET）和浮柵器件結合起來，構成了一種全新的“半浮柵”結構器件，稱為半浮柵晶體管。它具有高密度和低功耗的明顯優勢，可取代一部分靜態隨機存儲器（SRAM），並應用於動態隨機存儲器（DRAM）領域以及主動式圖像傳感器芯片（APS）領域。
據復旦大學微電子學院張衛介紹道，作為一種基礎電子器件，半浮柵晶體管在存儲和圖像傳感等領域的潛在應用市場規模超過300億美元。它的成功研製將有助於我國掌握集成電路的核心技術，從而在國際芯片設計與製造領域內逐漸獲得更多的話語權。
而不同於實驗室研究的基於碳納米管、石墨烯等新材料的晶體管，半浮柵晶體管是一種基於標準矽CMOS工藝的微電子器件。張衛表示，半浮柵晶體管兼容現有主流集成電路製造工藝，具有很好的產業化基礎；不過，擁有核心專利並不等於擁有未來的廣闊市場。儘管半浮柵晶體管應用市場廣闊，但前提是對核心專利進行優化佈局。
國際巨頭加大支出半導體消費規模創新高
據海外媒體報導，儘管全球芯片銷量去年出現了下滑，但今年全球半導體市場有望因國際大電子品牌商的加大支出而實現復甦；其中，蘋果和三星將會角逐成為今年半導體市場上最大的消費者。
今年以來，設備廠商們對半導體領域的投資熱情十分高漲。據市場調查機構IHS的估計，今年全球主要設備生產商的半導體市場開支有望增長至2652億美元，較去年的2544億美元，同比增長4.2%。更為重要的是，2013年的半導體市場消費規模將達到過去六年來的最高水平。
業已成為全球PC貨量最大的中國市場，目前在與全球PC相關的芯片支出方面仍佔有舉足輕重的比重。據市場調查機構IDC估計，全球芯片產業在今年仍有望實現較低的個位數增長，增長主要是來自於移動領域，其中蘋果和三星為該領域的統治者。據IHS的數據顯示，僅無線通訊板塊今年就佔據了半導體市場26%的份額，即大約620億美元的份額。該板塊在2013年也是增長最快的一個市場，全年預期增幅達12.8%。
據悉，蘋果和三星是今年半導體市場上支出規模最高的兩家公司，排在它們之後的一些廠商包括有惠普、聯想、索尼、戴爾、思科、松下、東芝以及華碩電腦。當中部分廠商既為芯片生產商身份，也同時為芯片供應商，還有部分廠商在芯片支出方面保持著增長，也有部分廠商出現了下滑。
技術創新或催生新一輪“元器件熱”
我國科學家首次研製出新型微電子半浮柵晶體管，這標誌著我國在全球尖端集成電路技術創新鏈中獲得了重大突破，再加上年內國際巨頭的爭相投入，半導體投資熱情不減，預計新一波的“元器件熱”將順勢而出，相關個股華微電子（600360）、復旦復華（600624）、長電科技（600584）及風華高科（000636）有望獲得資金的青睞。
華微電子（600360）：公司自2007年起開始進行“新型電力電子器件MOSFET產品技術研發項目”，取得了一項發明專利（“一種複合柵、柵源自隔離VDMOS、IGBT功率器件及其製造工藝”，）和兩項實用新型專利（“採用PSG摻雜技術的VDMOS、IGBT功率器件”，“一種複合柵、柵源自隔離VDMOS、IGBT功率器件”），從而形成了一套完整、成熟的MOS製造技術和工藝體系，目前已開發出200V、400V、500V、600V系列產品，並已在公司現有48萬片六英寸生產線上實現了批量化生產。
長電科技（600584）：經國家發改委批準，以國內集成電路封測領軍企業江蘇長電科技股份公司為依托，聯合中科院微電子研究所、清華大學微電子所、深圳微電子所、深南電路有限公司等五家單位共同組建的我國第一家“高密度集成電路封裝技術國家工程實驗室”於2009年6月21日在江陰的長電科技成立，這標誌著國家重點扶持的集成電路封裝技術產學研相結合的工程實驗平臺正式啟動。公司目前的主要產品為Trench-Mosfet、Sj-Mosfet、IGBT等電力電子器件和變頻器件的芯片設計，在國內具備領先優勢，事實上此前公司對片式功率器件封裝生產線技改擴能的項目也是主要針對MOSFET。
復旦復華（600624）：公司是複旦大學控股的上市公司，依托復旦大學雄厚的科研、技術、人才優勢，成功確立了以軟件開發、生物醫藥、園區房產為核心的科技產業體系，目前已擁有中國重要的對日軟件出口平臺，具有科技創新能力的藥品研發、生產、營銷基地，以及廣納國內外高新技術企業的國家級高新技術園區。此次復旦大學教授在微電子上的突出成就雖然跟公司沒有直接關係，但今年復旦大學持續在人腦水鋰電池等行業上獲得突出研究能力，因而正面效應依然存在。
風華高科（000636）：公司是目前國內片式元器件規模最大、元件產品系列配套最齊全的具備國際競爭力的電子元件企業，是MLCC及片式電阻器全球十大企業之一。公司研製、生產和銷售系列新型片式元器件，2011年更是對半導體高壓功率MOSFET生產技術線進行了改造。
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