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Molex之高性能超低功率存儲器技術
發佈時間:2013-09-12 08:31:15
全球領先的全套互連產品供應商Molex公司推出了空氣動力型DDR3 DIMM插座和超低側高DDR3 DIMM 存儲器模塊插座產品組合，兩個產品系列均適用於電信、網絡和存儲系統、先進計算平臺、工業控制和醫療設備中要求嚴苛的存儲器應用。
DDR3是為支持800 -1600 Mbps的數據速率(頻率400 - 800 MHz)而製定的DDR DRAM接口技術，該數據速率是DDR2接口的兩倍。採用標準1.5V工作電壓，DDR3對比DDR2減少了30%的功耗。 Molex的DDR3 DIMM插座的底座面比標準設計更低，在ATCA刀片系統中可以使用最大底座高度低於2.80 mm的極低側高模塊，新型DDR3 DIMM插座還具有10 mΩ的低電平接觸電阻，以便使用註冊DIMM模塊並且在刀片式服務器中降低功耗。
Molex產品經理Douglas Jones表示：“隨著對更高帶寬的需求繼續增長，能夠以較快速率傳輸數據而不犧牲寶貴的空間或功率是至關重要的。使用DDR3 DIMM插座，讓我們的客戶不僅能夠充分利用最高性能的存儲器互連的優勢，而且又能維持或減小現有封裝尺寸並降低功耗。”
Molex 空氣動力型DDR3 DIMM插座具有流線型外殼和閉鎖設計，以實現氣流最大化，並消除運作期間聚集的熱空氣。人類環境學閉鎖設計能夠實現快速動作，並且輕易移開高密度存儲器模塊。 2.40 mm的低底座面優化了垂直空間，能更靈活地設計插座模塊的高度。空氣動力型DDR3 DIMM插座用於極低側高壓接(14.26 mm)、低側高壓接(22.03 mm)、低側高SMT (21.34 mm)和極低側高SMT (14.20 mm)高度，與標準壓接終端相比，這些壓接插座的針孔型順應引腳更小，有效節省了寶貴的PCB空間，以適用於較高密度的電子線路設計。 Molex所有空氣動力型DDR3 DIMM插座均符合RoHS標準，SMT型款不含有鹵素。
Molex超低側高DDR3 DIMM插座的底座面高僅1.10mm，為業內最低。該插座在PCB上提供最高20.23 mm垂直空間，用於安裝高密度DIMM，適用於要求符合ATCA電路板機械規範的應用，這項規範要求前PCB板一側的元件高度不能超過21.33 mm。超低側高DDR3 DIMM插座的閉鎖動作的角度較小，所需的PCB空間也比標準DIMM更少，既改善了氣流，又實現了更貼近的元件安裝。新型無鹵素插座具有玻璃填充的高溫尼龍外殼和閉鎖裝置，可以使用波峰焊和高溫紅外回流焊運作。
相關鏈接：燦達電子內銷公司，建亞電子，HR燦達連接器
DDR3是為支持800 -1600 Mbps的數據速率(頻率400 - 800 MHz)而製定的DDR DRAM接口技術，該數據速率是DDR2接口的兩倍。採用標準1.5V工作電壓，DDR3對比DDR2減少了30%的功耗。 Molex的DDR3 DIMM插座的底座面比標準設計更低，在ATCA刀片系統中可以使用最大底座高度低於2.80 mm的極低側高模塊，新型DDR3 DIMM插座還具有10 mΩ的低電平接觸電阻，以便使用註冊DIMM模塊並且在刀片式服務器中降低功耗。
Molex產品經理Douglas Jones表示：“隨著對更高帶寬的需求繼續增長，能夠以較快速率傳輸數據而不犧牲寶貴的空間或功率是至關重要的。使用DDR3 DIMM插座，讓我們的客戶不僅能夠充分利用最高性能的存儲器互連的優勢，而且又能維持或減小現有封裝尺寸並降低功耗。”
Molex 空氣動力型DDR3 DIMM插座具有流線型外殼和閉鎖設計，以實現氣流最大化，並消除運作期間聚集的熱空氣。人類環境學閉鎖設計能夠實現快速動作，並且輕易移開高密度存儲器模塊。 2.40 mm的低底座面優化了垂直空間，能更靈活地設計插座模塊的高度。空氣動力型DDR3 DIMM插座用於極低側高壓接(14.26 mm)、低側高壓接(22.03 mm)、低側高SMT (21.34 mm)和極低側高SMT (14.20 mm)高度，與標準壓接終端相比，這些壓接插座的針孔型順應引腳更小，有效節省了寶貴的PCB空間，以適用於較高密度的電子線路設計。 Molex所有空氣動力型DDR3 DIMM插座均符合RoHS標準，SMT型款不含有鹵素。
Molex超低側高DDR3 DIMM插座的底座面高僅1.10mm，為業內最低。該插座在PCB上提供最高20.23 mm垂直空間，用於安裝高密度DIMM，適用於要求符合ATCA電路板機械規範的應用，這項規範要求前PCB板一側的元件高度不能超過21.33 mm。超低側高DDR3 DIMM插座的閉鎖動作的角度較小，所需的PCB空間也比標準DIMM更少，既改善了氣流，又實現了更貼近的元件安裝。新型無鹵素插座具有玻璃填充的高溫尼龍外殼和閉鎖裝置，可以使用波峰焊和高溫紅外回流焊運作。
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